• Tensão nominal: ±900kV
• Energia nominal: 90kJ
• Capacitância de impulso: 0,1µF
• Tensão nominal do estágio: ±150kV
• Número de estágios: 6
• Energia nominal do estágio: 15kJ
• Capacitância nominal do estágio: 1,33µF
• Taxa de erro de sincronização: ≤1%
• Tensão mínima de saída: ≥15%Un
• Resistores de forma de onda são fornecidos, podendo ser ajustados com base na carga.
• Forma de onda da tensão de impulso e eficiência
- Onda padrão de raio: tempo de frente de onda: 1,2±30µs, tempo de cauda de onda: 50±20%µs
Quando a onda de choque do raio de polaridade positiva e negativa está sem carga, o coeficiente de utilização de tensão é ≥90%.•
- Onda cortada padrão de raio: tempo de frente de onda: 1,2±30%µs, tempo de truncamento: 3-6µs.
l Com circuito de Glaninger, a regulação auxiliar no circuito de baixa tensão é equivalente ao resistor de modulação de onda de alta tensão para otimizar a forma de onda.
- Tensão nominal: 100kV.
- Capacitância: 2000pF.
- Valor do resistor: resistores de corrente de 0,1/0,2/0,5Ω, intercambiáveis